理聘网-职位详情页，特别研究助理（高频高压器件与集成研发中心）

招聘方向： 超宽/宽禁带化合物半导体器件和电路；高速高精度ADC模拟及数字电路设计；高性能GaN基电力电子和射频微波器件；Si基GaN智能功率集成电路；III族氮化物半导体电子器件的先进制备工艺；表征技术及器件物理GaN射频微波器件关键工艺开发；GaN微波器件与电路设计；GaN微波器件与电路测试表征及可靠性；宽禁带半导体异质集成。 福利待遇： 1.事业平台：提供事业发展平台，参与国家重大科研项目，给予充足科研经费保障，提供一流的工艺、器件、检测、设计、封测等研发平台；积极推荐并协助申请“博新计划”、中国科学院特别研究助理资助项目等。 2.职业生涯：畅通的岗位晋升通道，在站期间可竞聘副高级岗位，出站可申请事业编制岗位，留所比例超80%；特别优秀者可申报中国科学院相关人才项目，入选后可聘为正高级岗位、科研经费支持可达800万。 3.薪酬待遇：参照副高级岗位薪酬待遇，税前年薪30~40万元起（“六险两金”单位缴纳部分由研究所承担，不计入上述数值），特别优秀者上不封顶，按一人一策原则确定。 4.福利保障：提供人才公寓（可拎包入住），特别优秀者可免费入住；进站后解决北京户口，出站后符合留京政策的，为本人及配偶、子女办理落户手续，协助解决子女入园入学；享六险两金、带薪年假、工会福利、年度体检等。